Samsung jaunākie sasniegumi

Kompānija [b]Samsung Electronics[/b] ir ziņojusi par vairākiem jauno tehnoloģiju sasniegumiem. Kā pirmo viņi min [b]NAND[/b] Flash atmiņas čipa izveidi pēc 60nm tehnoloģijas, kura ietilpība sastāda 8GB. Masveida šo modeļu izgatavošana sāksies 2005. gada sākumā. Patreiz tiks piedāvātas atmiņas kartes ar 4GB ietilpību.
Kā otrais sasniegums Samsung kompānijai tiek minēts pirmā [b]2GB DDR2 SDRAM[/b] moduļa izveide, tas izgatavots pēc 80nm tehnoloģijas. Kompānijai šādu rezultātu ir izdevies panākt izmantojot jaunu moduļa dizainu, izmantojot 3 dimensiju tranzistorus, tādējādi panākot tādus pašus rezultātus, kuru realizēšanai nāktos izmantot tranzistorus, kas izstrādāti pēc 65nm tehnoloģijas, vai pat mazākiem.
Šo moduļu masveida ražošana tiek plānota 2005. gada otrajā pusē. Pēc analītiķu domām, Samsung DDR2 tirgus daļa palielināšoties no 11% šogad, līdz 50% nāgošā gada beigās. Tādējādi kļūstot dominējošajai DRAM moduļu tirgū.
Un kā lielākais sasniegums tiek minēts ātrākais [b](667Mhz)[/b] procesors mobilajiem telefoniem. Šie telefoni uzturēšot 3D grafiku.

Avots: Story.News.Yahoo

Share on facebook
Share on twitter
Share on linkedin
Share on whatsapp

Atbildēt

Jūsu e-pasta adrese netiks publicēta. Obligātie lauki ir atzīmēti kā *

Datuve.lv – IT un Tehnoloģiju ziņas || Copyright © 2004-2020 || Kontaktinformācija: info@datuve.lv  || Contact Us