IBM iepazīstina ar zibatmiņas alternatīvu

IBM, Macronix un Qimonda uzņēmumu zinātnieki ir [url=http://www.ibm.com/news/us/en/2006/12/2006_12_11.html]iepazīstinājuši[/url] ar jaunas datoru atmiņas ierīces prototipu, kas nākotnē varētu pilnīgi aizvietot plaši izmantojamo [url=http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory]zibatmiņu[/url]. Jaunās atmiņas uzbūves pamatā ir dažu vielu spēja pāriet no elektrību nevadoša amorfa stāvokļa uz vadošu kristālisku stāvokli sildīšanas vai elektriskā lauka ietekmē. Salīdzinot ar zibatmiņu, jaunā atmiņa ir daudz ātrāka, kā arī mazāka izmēru ziņā. Izstrādātāji ziņo, ka ierīces prototips strādā vismaz 500 (!) reizes ātrāk par zibatmiņu, turklāt datu ierakstīšanai nepieciešamais elektroenerģijas daudzums ir uz pusi mazāks.

[img]/images/upload/newflash1.jpg[/img]

Vairāk nekā divu gadu garumā zinātnieki pētīja vielas, kas spētu pāriet no amorfa stāvokļa kristāliskā un pretēji karsēšanas ietekmē. Vajadzīgās īpašības tika atrastas lētā kompozītmateriālā, kas ir pazīstams ar nosaukumu GST (GeSbTe – germānijs, antimons, telūrs) un kas tiek plaši izmantots pārrakstāmo optisko disku ražošanā. Pētījumu rezultātā tika noskaidrots, ka materiāla fāzu stāvokļa izmaiņas var radīt ne tikai tieši to karsējot (tas notiek disku ierakstīšanas procesā ar lāzera stara palīdzību), bet arī uzliekot nelielu spriegumu, kas uzsilda vielu. Pateicoties šai īpašībai ir iespējama datu ierakstīšana, izmantojot elektrisko strāvu – gluži tāpat kā zibatmiņā. IBM eksperti apgalvo, ka viņu izstrādātais materiāls sastāv no germānija un antimona ar dažām piedevām. Materiālam dots nosaukums GS un tā sastāvs, protams, netiek izpausts.

[img]/images/upload/newflash2.jpg[/img]

[img]/images/upload/newflash3.jpg[/img]

Esošo zibatmiņu būtiskākais trūkums ir tas, ka netiek atbalstīta atsevišķa bita, bet tikai lielu datu bloku adresēšana. Turpretī uz fāžu pāreju balstītās atmiņas ierīcēs ir iespējama atsevišķu bitu adresēšana, kas nodrošina to izmantošanu plašākā spektrā.

Jaunās atmiņas kartes prototipa izmēri šķērsvirzienā ir tikai 3 x 20 nm, kas ir daudz mazāk nekā zibatmiņām. Atgādināšu, ka minimālās tehniskās prasības zibatmiņu ražošanai sastāda 45 nm, bet jauno atmiņu varēs ražot, izmantojot daudz [i]smalkāku[/i] 22 nm tehnoloģiju. Jaunā tipa atmiņa, tāpat kā zibatmiņa, būs energoneatkarīga – informācijas glabāšanai nebūs vajadzīga elektropadeve.

[img]/images/upload/newflash4.jpg[/img]

[img]/images/upload/newflash5.jpg[/img]

IBM tic, ka jauno atmiņu gaida gaiša nākotne. Tikmēr speciālisti sagaida problēmas ar turpmāko izmēru palielināšanu. Pats materiāls spēj nodrošināt augstu veiktspēju ārkārtīgi mazos daudzumos.

Ar alternatvās atmiņas meklējumiem nodarbojas ne tikai IBM. 2006. gada jūnijā japāņu uzņēmums Elpida Memory uzsāka uz fāzes stāvokļa maiņu bāzētās atmiņas prototipu piegādi, bet tuvāko 2 – 3 gadu laikā tiek plānots sākt sērijveida ražošanu. 2006. gada septembrī Intel un STMicroelectronics demonstrēja minētos atmiņas prototipus ar 128 MB lielu ietilpību, paziņojot par komerciālu produktu laišanu tirgū 2007. gadā. Dienvidkorejas firma Samsung tajā pašā laikā izrādīja analogu atmiņas ierīci ar 512 MB ietilpību – šādas ierīces plānots izlaist 2008. gadā.

Ja jaunā tehnoloģija neradīs pārāk lielas ražošanas izmaksas, tā spēs konkurēt ar tradicionālo zibatmiņu 18,6 mljrd. $ vērtā elektroneatkarīgo atmiņas ierīču tirgū.
Neskatoties uz to, ka IBM vairs neražo atmiņu, kompānijas vadība ir ieinteresēta jauno tehnoloģiju izstrādē lieliem uzņēmumiem, piemēram, transakciju apstrādei. Ātra energoneatkarīga atmiņa ļaus mainīt jaunās paaudzes IBM ražojuma [url=http://en.wikipedia.org/wiki/PowerPC]Power PC[/url] mikroprocesoru konstrukciju un paātrināt pamatoperāciju izpildi.

Avots: [url=http://www.terralab.ru/storage/298979/]Terralab[/url]

Share on facebook
Share on twitter
Share on linkedin
Share on whatsapp

Atbildēt

Jūsu e-pasta adrese netiks publicēta. Obligātie lauki ir atzīmēti kā *

Datuve.lv – IT un Tehnoloģiju ziņas || Copyright © 2004-2020 || Kontaktinformācija: info@datuve.lv  || Contact Us