Amerikāņu zinātnieki no [url=http://www.rochester.edu/news/show.php?id=2585]Ročesteras universitātes[/url] [url=http://science.compulenta.ru/282187/]izstrādā[/url] jaunu tranzistoru veidu, kas teorētiski spēs vairākkārtīgi palielināt datoru mikroshēmu ātrdarbību.
Jaunajai metodei ir dots nosaukums [i]”Ballistic Deflection Transistor”[/i] (BDT) – tranzistors ar ballistisku novirzi. Jaunajā tranzistorā tiek izmantots īpašs pusvadītājs, kurā piejaukumatomi neietekmē elektronu kustību (t.s. [url=http://en.wikipedia.org/wiki/2DEG]divdimensiju elektronu gāze[/url]). Atsevišķi elektroni, izejot caur polarizētiem [i]vārtiem[/i], elektriskā lauka iedarbībā novirzās un tālāk atstarojas pret vienu no ķīļveida šķēršļa šķautnēm (attēlā). Tādā veidā, atkarībā no elektriskā lauka lieluma, elektrons pagriežas pa labi vai pa kreisi, kas atbilst “1” vai “0”.
[img]/images/upload/transistor.jpg[/img]
Tehnoloģijai ir vesela virkne priekšrocību salīdzinot ar pašreizēju mikroshēmu izgatavošanas metodi: tā kā ir iespējama atsevišķu elektronu kustības vadīšana, tad šādi tranzistori izmēru ziņā būs daudz mazāki par parastajiem, turklāt tie strādās simtiem reižu ātrāk. Konkrētāk, mikroshēmas spēs strādāt ar frekvencēm līdz pat 3 THz (3000 GHz). Turklāt, kas arī nav mazsvarīgi, jaunie tranzistori patērēs mazāk enerģijas un izdalīs mazāku siltuma daudzumu.
Ročesteras universitātes speciālisti ar Kventina Daidaka vadību jau ir saņēmušu 1.1 miljonus dolāru no amerikāņu Nacionālā zinātņu fonda. Tiek plānots, ka šie līdzekļi tiks izmantoti jaunā tranzistoru tipa strādājoša prototipa izveidei.