IBM ir izgatavojuši pasaulē pirmo 2 nm mikroshēmu, sniedzot priekšstatu par tehnoloģiju, kas darbinās nākotnes viedtālruņus, klēpjdatorus un gadžetus.
Galvenais uzsvars šeit ir likts uz tranzistoru skaitu. Pateicoties kompaktajam dizainam, jaunajā IBM tehnoloģijā ir ievērojami vairāk tranzistoru, salīdzinot ar šodienas 7 nm mikroshēmām. Tas nozīmē, ka mikroshēmas, kas izveidotas, izmantojot šo procesu, potenciāli var ievērojami uzlabot ierīču veiktspēju un akumulatora darbības laiku. IBM prognozē, ka 2nm mikroshēmas uzlabos veiktspēju par 45 procentiem un enerģijas patēriņš būs par 75 procentiem zemāks nekā mūsdienu iekārtām, kas aprīkotas ar vismodernākajām 7 nm mikroshēmām.
Pēc AnandTech datiem, IBM jaunajā 2 nm mikroshēmā ir aptuveni 333 miljoni tranzistoru uz kvadrātmilimetru (MTr/mm2). Salīdzinājumam: TSMC vismodernākās mikroshēmas, kas būvētas, izmantojot tās 5 nm procesu, satur aptuveni 173 MTr/mm2, savukārt Samsung 5 nm mikroshēmas – aptuveni 127 MTr/mm2.
Lai gan tas viss izklausās lieliski, ir svarīgi atcerēties, ka IBM 2nm mikroshēma ir tikai koncepts un ka procesori, kas būvēti uz 2nm mezgla, visticamāk, pie mums nonāks tikai pēc vairākiem gadiem.
TSMC un Samsung, kā jau minēts iepriekš, šobrīd ražo 5 nm mikroshēmas. Intel joprojām cenšas panākt savas 7 nm mikroshēmas pabeigšanu. Pat TSMC vēl neplāno nokļūt līdz 2 nm: pašlaik tā plāno sākt 4 nm mikroshēmas izveidi, kuras masveida ražošana varētu sākties 2022. gadā. Šīs kompānijas 3 nm mikroshēma ir gaidāma tikai 2022. gada otrajā pusē, un 2 nm mikroshēmas joprojām ir diezgan agrīnā attīstības stadijā. Un tas viss, pieņemot, ka pusvadītāju uzņēmumi darbosies bez aizķeršanās.
Tomēr tā varētu būt iespaidīga pusvadītāju tehnoloģiju nākotne, un, lai arī masveida ražošanas mērogā var paiet zināms laiks, IBM paziņojums liecina, ka jaunās mikroshēmas turpina attīstīties straujiem soļiem.