Samsung prezentējuši operatīvās atmiņas čipu, kas pēc viņu pašu vārdiem ir pasaulē ietilpīgākā DRAM ierīce. 50nm tehnoloģiskajā procesā veidotais DDR3 čips ir ar 4 Gb ietilpību un tas tiks izmantots visu segmentu operatīvajām atmiņām.
Atšķirībā no līdzšinējiem risinājumiem, kas patērē 1,5 voltus, jaunie čipi spēj darboties pie 1,35 voltu atzīmes, tādējādi, kaut minimāli, bet tomēr samazinās elektroenerģijas patēriņš. Pēc Samsung aprēķiniem, 16 GB modulis ar 4 Gb čipiem patērēs par 40% mazāk nekā līdzīgs 2 Gb DDR3 čips. Maksimālais čipu ātrums ir 1,6 Gbps.
Kompānija skaidro, ka jaunizveidoto produktu izmantos 16 GB RDIMM, 8GB UDIMM un 8 GB SODIMM moduļos, tādējādi ietilpīgus atmiņas risinājumus no Samsung varēs iegādāties kā serveriem, tā arī galddatoriem un klēpjdatoriem. Ražotājs lēš, ka tuvākajā laikā būs pieejami arī moduļi ar 32 GB ietilpību.
Pagaidām nav zināms kad produkti būs pieejami veikalos. Analītiķi jau spriež, ka to popularitāte pagaidām noteikti nebūs liela. Tirgus izpētes kompānija IDC lēš, ka DDR3 2 vai vairāk gigabaitu apjomā šogad ieņems vien 3% no tirgus, savukārt 2011.- 33 procentus.