Samsung Electronics, pasaules līderis moderno pusvadītāju tehnoloģiju risinājumos, laidis klajā astoņu gigabitu (Gb) OneNAND mikroshēmu, kurā tiek izmantota modernās 30 nanometru (nm) kategorijas apstrādes tehnoloģija. Balstoties uz vienlīmeņa šūnu (SLC) NAND flash arhitektūru, jaunais augstas ietilpības OneNAND produkts ir radīts lielāku datu apjomu uzglabāšanai viedtelefonos. Šādu tendenci attīsta pieaugošā dažādu programmatūras izstrādājumu lietošana un lielāki multivides programmatūras apjomi. Augstas ietilpības OneNAND atmiņa pašlaik tiek gatavota masu ražošanas sākšanai, kas paredzēta šī mēneša beigās.
“Mēs priecājāmies redzēt, ka mūsu modernais 30nm kategorijas NAND atmiņas risinājums ir radis plašu pielietojumu viedtelefonos,” sacīja Samsung Electronics Flash atmiņu izstrādes nodaļas viceprezidents Sejins Kims. “8Gb OneNAND mikroshēmas pieejamība ļaus ievērojami paplašināt mūsu moderno mobilās atmiņas risinājumu klāstu. Jaunais OneNAND izstrādājums ne tikai lieliski atbilst viedtelefonu vajadzībām pēc augstākas ietilpības atmiņas, bet arī ļaus pievienot daudzas papildus funkcijas, sniedzot patērētājiem lielāku pievienoto vērtību un paplašinot OneNAND tirgus iespējas.”
8Gb OneNAND apveltīts ar SLC arhitektūras uzticamību un jau pierādīto OneNAND veiktspēju, kas ļauj nolasīt datus ar ātrumu 70 megabaiti sekundē (MB/s), – tas ir četras reizes ātrāk, nekā to spēj paveikt klasiskā NAND atmiņa (17MB/s). Šīs raksturīpašības un zemais strāvas patēriņš padara to par saistošu risinājumu skārienekrānu un augstas izšķirtspējas viedtelefoniem. Papildus tam, izmantojot moderno 30nm kategorijas apstrādes tehnoloģiju, Samsung ir spējis paaugstināt šī izstrādājuma produktivitāti par 40%, ja salīdzina ar iepriekšējo 40nm kategorijas tehnoloģiju.
Kopš 2004.gada Samsung ir pastiprināti pievērsies OneNAND produktu apgūšanai, lai padarītu tos par augstas veiktspējas risinājumiem, kas var tikt izmantoti sakaru rīku aplikācijās bez vajadzības izstrādāt atsevišķu programmatūru.
OneNAND atmiņa, pateicoties tās uzlabotajam ieraksta ātrumam, var tikt izmantot ne tikai kā buferatmiņa sistēmas datu saglabāšanai, bet arī kā buferatmiņa ātrām, augstas veiktspējas datu nolasīšanas operācijām, kas iespējamas, pateicoties šīs atmiņas NOR flash saskarnei.
Saskaņā ar tirgus izpētes uzņēmuma iSuppli datiem tiek sagaidīts, ka pieprasījums pēc iebūvētām NAND flash atmiņām mobilo sakaru ierīcēs 2010.gadā sasniegs 1,1 miljardu vienību (1 gigabaitu (GB) ekvivalenti) un vairāk nekā 2,5 miljardu 1GB ekvivalento vienību 2011.gadā. Vēl jo vairāk, kompānija Strategic Analysis prognozē, ka pieprasījums pēc viedtelefoniem 2010.gadā sasniegs 285 miljonus vienību un tas pieaugs līdz 580 miljoniem vienību 2013.gadā.
Par Samsung Electronics
Samsung Electronics Co., Ltd. ir globālais līderis pusvadītāju, telekomunikāciju, digitālo mediju un digitālās konverģences ražošanā; 2008.gadā uzņēmuma konsolidētie pārdošanas rādītāji bija 96 miljardi USD. Ar aptuveni 164 600 darbiniekiem 179 birojos 61 valstī, uzņēmums sastāv no divām galvenajām biznesa vienībām: Digitālo mediju un komunikāciju vienības un Komponentu vienības. Atzīts par vienu no pasaules ātrāk augošajiem zīmoliem, Samsung Electronics ir vadošais digitālo televizoru, atmiņas karšu, mobilo tālruņu un TFT-LCD produktu ražotājs.