Šķiet, ka Samsung nupat ir izvirzījies vadībā NAND mikroshēmu ražošanas sacensībā. Pārspējot Toshiba, kā arī Intel un Micron kopuzņēmumu IM Flash Technologies, uzņēmums ir [url=http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1145]paziņojis[/url] par 20 nanometru MLC NAND mikroshēmu ražošanas uzsākšanu. Jaunās mikroshēmas ir paredzētas SD atmiņas kartēm un citiem datu uzglabāšanas risinājumiem.
Jaunās mikroshēmas piedāvās ne tikai par 50% lielāku ietilpību kā pašreizējās 30nm mikroshēmas, bet arī palielinātu ātrumu un zemākas ražošanas izmaksas. Samsung pieļauj, ka 8GB SDHC atmiņas kartes ātrums būs par apmēram 30% lielāks – 10MB/s rakstīšanas un 20MB/s lasīšanas ātrums. Tehnoloģija balstīsies uz 32 gigabitu (4GB) mikroshēmām, kas var tikt apvienotas, lai iegūtu ietilpību līdz pat 64GB. Jaunās mikroshēmas varēsim atrast atmiņas kartēs un tādās ierīcēs, kā viedtālruņi.
[img]http://datuve/images/upload/20100419211810.jpg[/img]
Masveida mikroshēmu ražošanu plānots uzsākt šī gada beigās. Tikmēr Toshiba uzsāk pāreju no 32nm mikroshēmām uz pagaidām neizlemtu zem-30nm tehnoloģiju. 20nm mikroshēmu ražošanu Toshiba plāno uzsākt 2012.gadā. Savukārt jau pieminētais IM Flash par savu 25nm tehnoloģiju paziņoja janvārī, apmēram pusotru gadu pēc tam, kad uzņēmums sāka izmantot 34nm tehnoloģiju.
[url=http://www.techspot.com/news/38634-samsung-starts-sampling-20nm-nand-flash-chips.html]TechSpot[/url]